Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-37569
Volltext verfügbar? / Dokumentlieferung
Titel: Compensation of siloxane poisoning of metal oxide semi-conductor gas sensors in temperature cycled operation
VerfasserIn: Schultealbert, Caroline
Baur, Tobias
Sauerwald, Tilman
Schütze, Andreas
HerausgeberIn: Gerlach, Gerald
Sommer, Klaus-Dieter
Sprache: Englisch
Titel: SMSI 2020 : Sensor and Measurement Science International : 22-25 June 2020, Nuremberg, Germany
Seiten: 197-198
Verlag/Plattform: AMA Service GmbH
Erscheinungsjahr: 2020
Erscheinungsort: Wunstorf
Konferenzort: Nürnberg, Germany
Freie Schlagwörter: metal oxide semiconductor
gas sensor
siloxanes
poisoning
stability
DDC-Sachgruppe: 600 Technik
Dokumenttyp: Konferenzbeitrag (in einem Konferenzband / InProceedings erschienener Beitrag)
Abstract: We present a method for quantifying the degradation state due to siloxane poisoning of a metal oxide semiconductor gas sensor using temperature cycled operation. The time constant for the generation of surface charge at high temperature increases through poisoning and is only slightly dependent on the gas atmosphere. In addition to indicating a necessary sensor replacement, this signal can also be used for drift compensation based on the exponential relation between sensor signal and this time constant.
DOI der Erstveröffentlichung: 10.5162/SMSI2020/P1.2
URL der Erstveröffentlichung: https://www.ama-science.org/proceedings/details/3709
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291--ds-375698
hdl:20.500.11880/33993
http://dx.doi.org/10.22028/D291-37569
ISBN: 978-3-9819376-2-6
Datum des Eintrags: 13-Okt-2022
Fakultät: NT - Naturwissenschaftlich- Technische Fakultät
Fachrichtung: NT - Systems Engineering
Professur: NT - Prof. Dr. Andreas Schütze
Sammlung:SciDok - Der Wissenschaftsserver der Universität des Saarlandes

Dateien zu diesem Datensatz:
Es gibt keine Dateien zu dieser Ressource.


Alle Ressourcen in diesem Repository sind urheberrechtlich geschützt.