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doi:10.22028/D291-27764 | Titel: | UV-Assisted Gate Bias Cycling in Gas-Sensitive Field-Effect Transistors |
| VerfasserIn: | Bastuck, Manuel Puglisi, Donatella Spetz, Anita Lloyd Schütze, Andreas Sauerwald, Tilman Andersson, Mike |
| Sprache: | Englisch |
| Titel: | Proceedings |
| Verlag/Plattform: | MDPI |
| Erscheinungsjahr: | 2018 |
| Titel der Konferenz: | EUROSENSORS 2018 |
| Freie Schlagwörter: | gas sensors SiC-FET dynamic operation gate bias cycled operation linear discriminant analysis |
| DDC-Sachgruppe: | 600 Technik |
| Dokumenttyp: | Konferenzbeitrag (in einem Konferenzband / InProceedings erschienener Beitrag) |
| Abstract: | Static and dynamic responses of a silicon carbide field-effect transistor gas sensor have been investigated at two different gate biases in several test gases. Especially the dynamic effects are gas dependent and can be used for gas identification. The addition of ultraviolet light reduces internal electrical relaxation effects, but also introduces new, temperature-dependent effects. |
| DOI der Erstveröffentlichung: | 10.3390/proceedings2130999 |
| Link zu diesem Datensatz: | urn:nbn:de:bsz:291--ds-277645 hdl:20.500.11880/29941 http://dx.doi.org/10.22028/D291-27764 |
| Datum des Eintrags: | 4-Nov-2020 |
| Bemerkung/Hinweis: | Proceedings 2018, 2(13), 999 |
| Fakultät: | NT - Naturwissenschaftlich- Technische Fakultät |
| Fachrichtung: | NT - Systems Engineering |
| Professur: | NT - Prof. Dr. Andreas Schütze |
| Sammlung: | SciDok - Der Wissenschaftsserver der Universität des Saarlandes |
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| Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
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