Please use this identifier to cite or link to this item: doi:10.22028/D291-24649
Title: Entwicklung von passiven und aktiven, planaren SiO2 Wellenleitern auf Silicium mittels rapid thermal annealing
Author(s): Mennig, Martin
Gier, Andreas
Berni, Anette
Schmidt, Helmut K.
Language: German
Year of Publication: 1999
OPUS Source: Kurzreferate / 73. Glastechnische Tagung, Halle (Saale), vom 31. Mai bis 2. Juni 1999 / Deutsche Glastechnische Gesellschaft e.V. — Frankfurt/Main, 1999, S. 277-280
SWD key words: Wellenleiter
Silicium
Tempern
DDC notations: 620 Engineering and machine engineering
Publikation type: Conference Paper
Abstract: -
Link to this record: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-29701
hdl:20.500.11880/24705
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24649
Date of registration: 1-Sep-2010
Faculty: SE - Sonstige Einrichtungen
Department: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Collections:INM
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