Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24649
Titel: Entwicklung von passiven und aktiven, planaren SiO2 Wellenleitern auf Silicium mittels rapid thermal annealing
VerfasserIn: Mennig, Martin
Gier, Andreas
Berni, Anette
Schmidt, Helmut K.
Sprache: Deutsch
Erscheinungsjahr: 1999
Quelle: Kurzreferate / 73. Glastechnische Tagung, Halle (Saale), vom 31. Mai bis 2. Juni 1999 / Deutsche Glastechnische Gesellschaft e.V. — Frankfurt/Main, 1999, S. 277-280
Kontrollierte Schlagwörter: Wellenleiter
Silicium
Tempern
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumenttyp: Konferenzbeitrag (in einem Konferenzband / InProceedings erschienener Beitrag)
Abstract: -
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-29701
hdl:20.500.11880/24705
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24649
Datum des Eintrags: 1-Sep-2010
Fakultät: SE - Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Sammlung:INM
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