Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24649
Titel: Entwicklung von passiven und aktiven, planaren SiO2 Wellenleitern auf Silicium mittels rapid thermal annealing
Verfasser: Mennig, Martin
Gier, Andreas
Berni, Anette
Schmidt, Helmut K.
Sprache: Deutsch
Erscheinungsjahr: 1999
Quelle: Kurzreferate / 73. Glastechnische Tagung, Halle (Saale), vom 31. Mai bis 2. Juni 1999 / Deutsche Glastechnische Gesellschaft e.V. — Frankfurt/Main, 1999, S. 277-280
SWD-Schlagwörter: Wellenleiter
Silicium
Tempern
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : InProceedings (Aufsatz / Paper einer Konferenz etc.)
Kurzfassung: -
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-29701
hdl:20.500.11880/24705
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24649
SciDok-Publikation: 1-Sep-2010
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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