Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-26904
Titel: Deposition of metallic copper through UV light irradiation
Verfasser: Támara Florez, Juan Carlos
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 2017
SWD-Schlagwörter: Abscheidung
Fotolithografie
Kupfer
Halbleitertechnologie
Ultraviolett-Bestrahlung
DDC-Sachgruppe: 530 Physik
540 Chemie
Dokumentart : Dissertation
Kurzfassung: The use of photolithography for metal interconnects below 0.2 μm continues to be unrivalled in resolution and precision as a fabrication technique in the microelectronic industry. Current photolithographic deposition of fine metal structures relies on the use of a photoresists. A photolithographic technique that deposits metallic copper after UV irradiation from a solution containing a copper complex has been envisioned as a suitable technique to avoid the use of a photoresist and to attain a more profitable process. In this study commercial complexes containing acetalycetone and hexafluoroacetlyacetone and synthesized copper complexes containing pyridine and catechol derivatives were tested and compared to improve the deposition efficiency of metallic copper by irradiation with UV light. Ab initio DFT was used to simulate the compounds structure, UV-Vis, IR spectrum and distribution of charge. Metallic copper has been successfully deposited and the irradiation time has been decreased, complete coverage of copper was achieved after 15 min of irradiation with UV-LED´s, using at least 50 times less concentration of copper complex than with commercial complexes. Copper complexes containing chloride and pyridine, and 4-tert-butyl catechol and pyridine showed the best deposition rates and higher quality of deposited material than β-diketonate complexes reported in literature.
Photolithographie bleibt in Auflösung und Genauigkeit konkurrenzlos bei der Herstellung von schmalen Leiterbahnen (< 0,2 μm) in der Mikroelektronik. Die aktuelle photolithographische Abscheidung feiner metallischer Strukturen erfordert den Einsatz von Photolacken. Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde eine photolithographische Technik zur Abscheidung von metallischem Kupfer aus Lösungen eines Kupferkomplexes vorgeschlagen, um die Verwendung von Photolacken zu vermeiden und ein günstigeres Verfahren zu schaffen. Die Kupferphotoabscheidungseffizienz von kommerziellen Kupferkomplexen, die Azetylazeton und Hexafluoroazetylazeton liganden enthalten, und synthetisierten Kupferkomplexen, die Pyridine und Benzcatechin Derivate enthalten, wurden verglichen. Ein Ab-Initio Dichtefunktionatheorie-Verfahren wurde angewendet, um die Stoff Struktur, UV-Vis- und IR-Spektrum sowie die Ladungsverteilung zu simulieren. Das metallische Kupfer wurde erfolgreich abgeschieden, bei der die Bestrahlungszeit reduziert wurde. Hierbei wurde Kupfer nach ca. 15 Minuten UV-LED Bestrahlung abgeschieden, bei der die Kupferkonzentration mindestens fünfzigmal weniger ist, als die kommerziellen Komplexe. Die Kupferkomplexe mit Pyridine und Chloride sowie die mit Pyridine und 4-tert-Butylbrenzcatechin zeigten die beste Abscheidungsrate und eine höhere Qualität des abgeschiedenen Materials als die in der Literatur untersuchten β-Diketonate Komplexe.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-ds-269044
hdl:20.500.11880/26899
http://dx.doi.org/10.22028/D291-26904
Erstgutachter: Kickelbick, Guido
Tag der mündlichen Prüfung: 20-Okt-2017
SciDok-Publikation: 6-Dez-2017
Drittmittel / Förderung: INM Leibniz Institut für Neue Materialien
Fakultät: NT - Naturwissenschaftlich- Technische Fakultät
Fachrichtung: NT - Chemie
Fakultät / Institution:NT - Naturwissenschaftlich- Technische Fakultät

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