Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24252
Titel: Photoelectrochemical properties of Sol-Gel Nb2O5 films
Verfasser: Aegerter, Michel A.
Werner, Ulf
Abreu Filho, Pompeu P.
Barros Filho, Djalma De A.
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1997
Quelle: Journal of sol-gel science and technology. - 8. 1997, S. 735-742
SWD-Schlagwörter: Sol-Gel-Verfahren
Photoelektrochemie
Halbleiter
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : Journalartikel
Kurzfassung: Structural, optical, electro and photoelectrochemical properties of amorphous and crystalline sol-gel Nb2O5 coatings have been determined. The coatings are n-type semiconductor with indirect allowed transition and present an overall low quantum efficiency (&Oslash; < 4%) for UV light to electric conversion. The photoconducting behavior of the coatings is discussed within the framework of the Gärtner and Södergren models. Improvement can be foreseen if Nb2O5 coatings can be made of 10—20 nm size nanoparticles.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-24939
hdl:20.500.11880/24308
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24252
SciDok-Publikation: 4-Dez-2009
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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