Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24126
Titel: Electron diffraction analysis of the structure of SiO2 gel-film
Verfasser: Ohsaki, Hisashi
Aegerter, Michel A.
Shichiri, Takaki
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1990
Quelle: Better ceramics through chemistry IV : symposium held April 16 - 20, 1990, San Francisco, California, U.S.A / ed.: Brian J. J. Zelinski... - Pittsburgh, Pa. : Materials Research Soc., 1990, S. 429-432
SWD-Schlagwörter: Gel
Beugung
Elektronenbeugung
DDC-Sachgruppe: 500 Naturwissenschaften
Dokumentart : InProceedings (Aufsatz / Paper einer Konferenz etc.)
Kurzfassung: The structure of self-supported SiO2 gel-films prepared from acid and basic TEOS solutions is analysed by high energy transmission electron diffraction method. The reduced radial distribution function (RDF) curves show that all the films are already well dense despite the low drying temperature (≤50°C) and short drying time (≤30 s). The Si-O bond length of the gel-films prepared from highly acid and basic solutions is about 1.58 Å; it is smaller than that of bulk vitreous silica (1.61 Å) but similar to that of 80 Å thick evaporated a-SiO2 film.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-23032
hdl:20.500.11880/24182
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24126
ISBN der Druckausgabe: 1-558-99069-0
SciDok-Publikation: 6-Aug-2009
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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