Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24106
Titel: Structural analysis of SiO2 gel films by high energy electron diffraction
Verfasser: Ohsaki, Hisashi
Miura, K.
Imai, A.
Tada, Masato
Aegerter, Michel A.
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1994
Quelle: Journal of sol-gel science and technology. - 2. 1994, S. 245-249
SWD-Schlagwörter: Elektron
Hohe Energie
Beugung
Tetraethylsilicat <Tetraethylorthosilicat>
DDC-Sachgruppe: 500 Naturwissenschaften
Dokumentart : Journalartikel
Kurzfassung: The structure of SiO2 gel-films prepared from acid and basic TEOS solutions is analyzed by high energy transmission electron diffraction method. The Si-O bond length of gel-films is 1.58 to 1.60 Å, which is shorter than that of vitreous silica (1.61 Å) but similar to that of 80 Å thick evaporated a-SiO2 film. An atomic pair peak with 0.81 Å distance exists on the reduced radial distribution functions of the gel-films, which is believed to be O-H, but being smaller than that of H2O (0.969 Å).
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-23394
hdl:20.500.11880/24162
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24106
SciDok-Publikation: 22-Jul-2009
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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