Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24078
Titel: Study of Vk centers in CsI crystals
Verfasser: Sidler, T.
Pellaux, J. P.
Nouailhat, A.
Aegerter, Michel A.
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1973
Quelle: Solid state communications. - 13. 1973, 4, S. 479-482
SWD-Schlagwörter: Thermolumineszenz
Iodide
Kristall-Engineering
DDC-Sachgruppe: 500 Naturwissenschaften
Dokumentart : Journalartikel
Kurzfassung: Vk centers were observed in CsI doped with Na+ and Tl+ after x-ray irradiation at liquid He temperature by using optical and EPR techniques. They are oriented along [100] directions. By studying thermoluminescence, 2 types of thermal migration were found, one due to linear displacement of the centers along the cubic axis and the other due to 90° rotations. They correspond to 2 glow peaks at 60 and 90°K, respectively.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-22243
hdl:20.500.11880/24134
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24078
SciDok-Publikation: 16-Jul-2009
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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