Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24012
Titel: Observation and modeling of electromigration-induced void growth in Al-based interconnects
Verfasser: Kraft, Oliver
Bader, S.
Sanchez, J. E.
Arzt, Eduard
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1993
Quelle: Materials reliability in microelectronics III : symposium held April 12 - 15, 1993, San Francisco, California, U.S.A. / ed.: Kenneth P. Rodbell .... - Pittsburgh, Pa. : Materials Research Soc., 1993. - (Materials Research Society symposium proceedings ; 309), S. 199-204
SWD-Schlagwörter: Aluminium
Rasterelektronenmikroskopie
Stromkreis
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : InProceedings (Aufsatz / Paper einer Konferenz etc.)
Kurzfassung: Accelerated electromigration tests on unpassivated, pure aluminum interconnects were performed. The failure mechanisms were observed by interrupting the tests and examining the conductor lines using an SEM. Because the metal thin film was subjected to a so-called laser reflow process before patterning, grain boundaries were visible in the SEM as thermal grooves. Voids were observed to move along the line and to grow in a transgranular manner, and a characteristic asymmetric void shape was identified which seems to be related to the failure mechanism.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-20507
hdl:20.500.11880/24068
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24012
ISBN der Druckausgabe: 1-558-99205-7
SciDok-Publikation: 6-Feb-2009
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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