Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-23837
Titel: Detailed study of electromigration induced damage in Al and AlCuSi interconnects
Verfasser: Möckl, U. E.
Bauer, M.
Kraft, Oliver
Sanchez, J. E.
Arzt, Eduard
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1994
Quelle: Materials reliability in microelectronics IV : symposium held April 5 - 8, 1994, San Francisco, California, U.S.A. ... / Ed.: Peter Børgesen ... - Pittsburgh, Pa. : Materials Research Soc., 1994. - (Materials Research Society symposium proceedings ; 338), S. 373-378
SWD-Schlagwörter: Oberflächenschaden
Elektromigration
Studie
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : InProceedings (Aufsatz / Paper einer Konferenz etc.)
Kurzfassung: Because of the continuing miniaturization, electromigration (EM) phenomena are still a key issue in reliability of VLSI metallizations. The present study of EM induced voiding and hillocking was performed on unpassivated conductor lines with various widths and current densities. Stressed and unstressed interconnects were carefully exymined with SEM and TEM techniques, espcially with regard to void densities, void sizes and characterisitic lengths between void and hillock. The fatal void shape was related to current density and line width indicating that the failure mechanism changes with decreasing line width and decreasing current density.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-17952
hdl:20.500.11880/23893
http://dx.doi.org/10.22028/D291-23837
ISBN der Druckausgabe: 1-558-99238-3
SciDok-Publikation: 4-Dez-2008
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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