Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-23836
Titel: Electromigration induced resistance changes in passivated aluminum thin film conductors
Verfasser: Möckl, U. E.
Lloyd, J. R.
Arzt, Eduard
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1993
Quelle: Materials reliability in microelectronics III : symposium held April 12 - 15, 1993, San Francisco, California, U.S.A. / ed.: Kenneth P. Rodbell .... - Pittsburgh, Pa. : Materials Research Soc., 1993. - (Materials Research Society symposium proceedings ; 309), S. 301-306
SWD-Schlagwörter: Passivierung
Elektromigration
Aluminium
Resistenz
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : InProceedings (Aufsatz / Paper einer Konferenz etc.)
Kurzfassung: The relative change in resistance due to electromigration was studied in thin (0.7 µm) film conductors of Al-0.5% Cu alloy passivated with a 1 µm thick glass passivation using a sensitive AC bridge technique. In contrast to previous experiments performed on unpassivated structures where a roughly linear resistance increase was observed, a saturation value for the resistance increase was observe which was seen to be a function of temperature and the applied current density. The results were found to be consistent with a Shatzkes and Lloyd electromigration model.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-17947
hdl:20.500.11880/23892
http://dx.doi.org/10.22028/D291-23836
ISBN der Druckausgabe: 1-558-99205-7
SciDok-Publikation: 4-Dez-2008
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
INM
INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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