Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-23833
Titel: Quantitative analysis of electromigration-induced damage in Al-based interconnects
Verfasser: Kraft, Oliver
Sanchez, J. E.
Arzt, Eduard
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1992
Quelle: Materials reliability in microelectronics II : symposium held April 27 - May 1, 1992, San Francisco, California, U.S.A. / ed.: C. V. Thompson ... - Pittsburgh, Pa. : Materials Research Society, 1992. - (Materials Research Society symposium proceedings ; 265), S. 119-124
SWD-Schlagwörter: Quantitative Analyse
Elektromigration
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : InProceedings (Aufsatz / Paper einer Konferenz etc.)
Kurzfassung: Electromigration in metal interconnect lines produces sitew of a damage, such as voids, hillocks and whiskers, which by definition are the sites of flux divergence in the lines. Detailed observations of damage volume and morphology, especially in relation to the local microstructure, may yield vital information about the processes which produce the damage and ultimate failure in the interconnects. We present fractographic measurements of void volumes and the spacing between voids and corresponding hillocks in Al and Al-2% Cu interconnects which have been electromigration tested until failure. It is shwon that the void density as well as the shape of failure voids depend on the current density. Further it is found that the distribution of the spacings between voids and corresponding hillocks changes as a function of current density.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-17909
hdl:20.500.11880/23889
http://dx.doi.org/10.22028/D291-23833
ISBN der Druckausgabe: 1-558-99160-3
SciDok-Publikation: 4-Dez-2008
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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