Please use this identifier to cite or link to this item: doi:10.22028/D291-23761
Title: Verdichtung und Kristallisation von transparenten leitfähigen oxidischen Sol-Gel-Schichten am Beispiel des Zinkoxids
Other Titles: -
Author(s): Schuler, Thomas
Language: German
Year of Publication: 2003
SWD key words: Transparent-leitendes Oxid
Zinkoxid
Sol-Gel-Verfahren
Schichtwachstum
Free key words: transparent conductive oxide
zinc oxide
sol-gel processing
films
DDC notations: 620 Engineering and machine engineering
Publikation type: Dissertation
Abstract: Transparente leitfähige Schichten sind von großem Interesse für die Industrie, da sie aufgrund ihrer Eigenschaften ein großes Anwendungspotenzial besitzen, sei es als Elektroden in "Flat Panel Displays" oder elektrochromen Systemen, sei es als Wärmeschutzvergütung von Architekturglas, sei es als Absorber ("Photonenfänger") und Elektroden in Solarzellen oder in integrierten optischen Schaltungen. Dabei schließen sich Leitfähigkeit in der Dimension der Leitfähigkeiten von Metallen und Transparenz im Sichtbaren, wie dies Dielektrika aufzeigen, schon aus theoretischer Sicht aus. Diese Kluft schlißt die Gruppe der transparenten leitfähigen Oxide [...], zu der die Oxide und Mischoxide der Elemente Indium, Cadmium, Zinn und Zink gehören. [...] In den letzten Jahren wurden verschiedene Ansätze seitens der Prozesstechnik angegangen, die die eine Eigenschaft von oxidischen Schichten auf Kosten der anderen Eigenschaften verbesserte. [...] Ziel der vorliegenden Arbeit war, dieses Mustersystem soweit auf die strukturellen optischen und elektrischen Eigenschaften hin zu untersuchen und ein Modell des Schichtwachstums aufzuzeigen, das die Ergebnisse anderer Systeme wie z.B. Antimon dotiertes Zinnoxid reflektiert. Die dabei gewonnenen Ergebnisse sollten für die Prozessoptimierung der Sol-Gel-Beschichtung von oxidischen Halbleitern verwendbar sein. [...]
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Link to this record: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-4378
hdl:20.500.11880/23817
http://dx.doi.org/10.22028/D291-23761
Advisor: Aegerter, Michel A.
Date of oral examination: 21-Nov-2003
Date of registration: 5-Apr-2005
Faculty: SE - Sonstige Einrichtungen
Department: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Collections:INM
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