Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-22885
Titel: Untersuchung der Uphill-Diffusion von Fremdatomen in Te-reichen II-VI Halbleitern
Sonstige Titel: Investigation of uphill diffusion of impurities in Te-rich II-VI semiconductors
Verfasser: Kronenberg, Jörg
Sprache: Deutsch
Erscheinungsjahr: 2012
SWD-Schlagwörter: Diffusion
Zwei-Sechs-Halbleiter
Halbleitergrenzfläche
Dotierter Halbleiter
Fremdatom
Freie Schlagwörter: Uphill-Diffusion
Metall-Halbleiter-Grenzfläche
uphill diffusion
metal-semiconductor interface
DDC-Sachgruppe: 530 Physik
Dokumentart : Dissertation
Kurzfassung: Gegenstand dieser Arbeit war die Untersuchung der Uphill-Diffusion für die Elemente Na, K, Co, Ni, Pd, Pt und Au in CdTe und CdZnTe. Für die Elemente Ag und Cu war Uphill-Diffusion in CdTe bereits vorher bekannt, wenn Te-reiches Materials verwendet wird und des Diffusionsprozesses unter einem externen Cd-Dampfdruck erfolgt. Für die Elemente Na, Pd und Au konnte ebenfalls Uphill-Diffusion beobachtet werden, wohingegen für die Übergangsmetalle Ni und Co kastenförmige Diffusionsprofile beobachtet wurden. Die Elemente K und Pt zeigten dagegen ein gewöhnliches Diffusionsverhalten. Im Fall von Ag in CdTe wird Uphill-Diffusion auch durch eine aufgedampfte Metallschicht verursacht, was für verschiedene Metalle beobachtet werden konnte. Es wird vermutet, dass an der Metall/Halbleiter Grenzfläche interstitielle Cd-Eigenatome freigesetzt werden.
The purpose of this work was the investigation of uphill diffusion for the elements Na, K, Co, Ni, Pd, Pt and Au in CdTe and CdZnTe. For Ag and Cu uphill diffusion was known if Te-rich material is used and the diffusion process is performed under external Cd pressure. For the elements Na, Pd and Au uphill diffusion was observed, too, but the transition elements Ni and Co in Te-rich material showed box-shaped profiles upon diffusion under external Cd pressure. In contrast, the elements K and Pt didn’t show any unusual diffusion behaviour. In case of Ag in CdTe uphill diffusion also is induced by a metal layer evaporated onto the implanted surface. It is proposed that this effect is caused by Cd self-interstitial atoms that are released at the metal/semiconductor interface.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-54459
hdl:20.500.11880/22941
http://dx.doi.org/10.22028/D291-22885
Erstgutachter: Wichert, Thomas
Tag der mündlichen Prüfung: 22-Mär-2013
SciDok-Publikation: 17-Jul-2013
Fakultät: Fakultät 7 - Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät II
Fachrichtung: NT - Physik
Ehemalige Fachrichtung: bis SS 2016: Fachrichtung 7.2 - Experimentalphysik
Fakultät / Institution:NT - Naturwissenschaftlich- Technische Fakultät

Dateien zu dieser Ressource:
Datei Beschreibung GrößeFormat 
Dissertation_Joerg_Kronenberg.pdf2,69 MBAdobe PDFÖffnen/Anzeigen


Alle Ressourcen in diesem Repository sind urheberrechtlich geschützt.