Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24706
Titel: Semiconducting CuClxBr1-x(x=0-1) nanocrystals in thin films : synthesis and characterization
Verfasser: Suyal, Ganesh
Mennig, Martin
Schmidt, Helmut K.
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 2002
Quelle: Journal of materials chemistry. - 12. 2002, 10, S. 3136-3140
SWD-Schlagwörter: Halbleiter
Halbleiterschicht
Dünne Schicht
Sol-Gel-Verfahren
Chloride
Bromide
Kupferoxid <Kupfer(II)-oxid>
Halogenide
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : Journalartikel
Kurzfassung: Thin films containing semiconducting nanocrystals of CuClxBr1-x( x = 0 1) were synthesized by the sol gel process, by stepwise substitution of chloride ions by bromide ions. Cuprous oxide was used as the precursor for copper, HCl and HBr as halide sources, and the matrix sol was synthesized from 3-glycidoxypropyl-(trimethoxy)silane (GPTS) and tetraethoxysilane (TEOS). The films were characterized using ultraviolet visible (UV-VIS) spectroscopy, high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) and X-ray diffraction analysis. Thin films (thickness 0.7-1.0 mum) containing cubic CuClxBr1-x (x = 1-0) nanoparticles were obtained. For the samples having no bromide, the absorption spectrum showed a sharp absorption edge at 371 nm. Addition of HBr shifted the peak towards a higher wavelength, giving a peak that is characteristic of CuClxBr1-x; the addition of 1.85 x 10(-2) mole of HBr leads to the complete substitution of chloride by bromide ions. The same observations were also made using X-ray diffraction.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-30302
hdl:20.500.11880/24762
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24706
SciDok-Publikation: 12-Nov-2010
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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