Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-23834
Titel: Electromigration resistance and mechanical strength
Verfasser: Arzt, Eduard
Kraft, Oliver
Sanchez, J. E.
Bader, S.
Nix, William D.
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1992
Quelle: Thin films: stresses and mechanical properties III : symposium held December 2 - 5, 1991, Boston, Massachusetts, USA. - Pittsburgh, Pa : Materials Research Society, 1992. - (Materials Research Society symposium proceedings ; 239), S. 677-682
SWD-Schlagwörter: Festigkeit
Elektromigration
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : InProceedings (Aufsatz / Paper einer Konferenz etc.)
Kurzfassung: A brief review is given of models which propose a correlation between electromigration resistance and the mechanical strength of thin film interconnects. In an attempt to achieve metallurgical strengthening and improved electromigration resistance, aluminum films were implanted with oxygen ions. Preliminary electromigration tests online arrays patterned from these films resulted in lifetimes comparabel to the standard Al films. The lack of improvement is attributed to enhanced hillock/whisker growth during electromigration in the implanted interconnects. This behavior is coincident with a lower compressive strength in similarly treated continuous films at elevated temperatures as measured by the substrate curvalure technique.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-17929
hdl:20.500.11880/23890
http://dx.doi.org/10.22028/D291-23834
ISBN der Druckausgabe: 1-558-99133-6
SciDok-Publikation: 4-Dez-2008
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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