Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-23820
Titel: A model for the effect of line width and mechanical strength on electromigration failure of interconnects with "near-bamboo" grain structures
Verfasser: Arzt, Eduard
Nix, William D.
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1991
Quelle: Journal of materials research. - 6. 1991, 4, S. 731-736
SWD-Schlagwörter: Mechanische Eigenschaft
Elektromigration
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumentart : Journalartikel
Kurzfassung: A simple analytical model for the effect of mechanical strength and line width (for the case of narrow lines) on the electormigration failure of metallic interconnects is presented. Because the line width/grain size ratio and the diffusivity enter differently in the model, application of the resulting failure time equation to published data can provide insight into the mechanisms of enhancement of electromigration resistance by grain structure optimization and alloying.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-17603
hdl:20.500.11880/23876
http://dx.doi.org/10.22028/D291-23820
SciDok-Publikation: 2-Dez-2008
Fakultät: Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Fakultät / Institution:INM
SE - Sonstige Einrichtungen

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